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金沢大など、半導体ダイヤモンドの高速成長法を開発:日刊工業新聞

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 金沢大学の徳田規夫准教授とアリオス(東京都昭島市、有屋田修社長、042・546・4811)、産業技術総合研究所は、半導体品質のダイヤモンドの高速成長法を開発した。
 結晶の成長速度は1時間当たり100マイクロメートル(マイクロは100万分の1)と世界トップレベル。5年内に成長速度を毎時数ミリメートルに引き上げ、半導体ダイヤモンドのインゴット製造技術として提案していく。
 炭素をプラズマでラジカル状態まで活性化し、ダイヤモンドの種基板と反応させ結晶を成長させる。球形のチャンバーの中でプラズマを起こすため、プラズマが壁面にぶつかることなく、真ん中の試料に集中する。エネルギーを上げても安定させやすく、炭素を高濃度で供給できる。結晶を3次元方向に成長させることが可能。成長中に欠陥ができにくく高品質の結晶が作れる。

金沢大など、半導体ダイヤモンドの高速成長法を開発:日刊工業新聞

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