金沢大学の徳田規夫准教授とアリオス（東京都昭島市、有屋田修社長、０４２・５４６・４８１１）、産業技術総合研究所は、半導体品質のダイヤモンドの高速成長法を開発した。
　結晶の成長速度は１時間当たり１００マイクロメートル（マイクロは１００万分の１）と世界トップレベル。５年内に成長速度を毎時数ミリメートルに引き上げ、半導体ダイヤモンドのインゴット製造技術として提案していく。
　炭素をプラズマでラジカル状態まで活性化し、ダイヤモンドの種基板と反応させ結晶を成長させる。球形のチャンバーの中でプラズマを起こすため、プラズマが壁面にぶつかることなく、真ん中の試料に集中する。エネルギーを上げても安定させやすく、炭素を高濃度で供給できる。結晶を３次元方向に成長させることが可能。成長中に欠陥ができにくく高品質の結晶が作れる。

金沢大など、半導体ダイヤモンドの高速成長法を開発:日刊工業新聞